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APTC60DAM18CTG

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價格
說明
操作

APTC60DAM18CTG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP4
23+
-
微芯專營優勢產品

APTC60DAM18CTG
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
273526
MICROCHIP
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

APTC60DAM18CTG
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
273526
MICROCHIP
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

APTC60DAM18CTG
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
273526
MICROCHIP
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

APTC60DAM18CTG
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室
資質：營業執照
6000
MICROSEMI
23+
-
只做原裝正品

APTC60DAM18CTG
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
273526
MICROCHIP
con
24+
-

APTC60DAM18CTG
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
273526
MICROCHIP
con
24+
-

APTC60DAM18CTG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原裝

APTC60DAM18CTG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
30
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 143A SP4
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
-
標準包裝
10
系列
*

APTC60DAM18CTG 技術參數

APTC60BBM24T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:95A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 47.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:* 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC60AM83BC1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態:停產 FET 類型:3 N 溝道（相角 + 升壓斬波電路） FET 功能:超級結漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:36A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:83 毫歐 @ 24.5A、 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:250nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60AM83B1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態:停產 FET 類型:3 N 溝道（相角 + 升壓斬波電路） FET 功能:超級結漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:36A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:83 毫歐 @ 24.5A、 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:250nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60AM70T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:39A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60AM45T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:49A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 24.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60DSKM35T3G APTC60DSKM45T1G APTC60DSKM70T1G APTC60DSKM70T3G APTC60HM24T3G APTC60HM35T3G APTC60HM45SCTG APTC60HM45T1G APTC60HM70BT3G APTC60HM70RT3G APTC60HM70SCTG APTC60HM70T1G APTC60HM70T3G APTC60HM83FT2G APTC60SKM24CT1G APTC60SKM24T1G APTC60SKM35T1G APTC60TAM21SCTPAG