欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > A字母型號搜索 > A字母第2559頁 >

APTC60DDAM70T3G

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
APTC60DDAM70T3G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET MOD BOOST CHOPPER SP3
  • RoHS
  • 類別
  • 半導體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTC60DDAM70T3G 技術參數
  • APTC60DDAM70T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態:在售 FET 類型:2 N 溝道(雙路降壓斬波器) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):39A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 39A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):259nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60DDAM45T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態:在售 FET 類型:2 N 溝道(雙路降壓斬波器) FET 功能:超級結 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):49A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 24.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60DDAM35T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):72A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 72A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):518nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC60DDAM24T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態:在售 FET 類型:2 N 溝道(雙路降壓斬波器) FET 功能:超級結 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):95A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 47.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC60DAM35T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 72A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):72A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 72A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):518nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60HM45T1G APTC60HM70BT3G APTC60HM70RT3G APTC60HM70SCTG APTC60HM70T1G APTC60HM70T3G APTC60HM83FT2G APTC60SKM24CT1G APTC60SKM24T1G APTC60SKM35T1G APTC60TAM21SCTPAG APTC60TAM24TPG APTC60TAM35PG APTC60TDUM35PG APTC60VDAM24T3G APTC60VDAM45T1G APTC80A10SCTG APTC80A15SCTG
配單專家

在采購APTC60DDAM70T3G進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買APTC60DDAM70T3G產品風險,建議您在購買APTC60DDAM70T3G相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的APTC60DDAM70T3G信息由會員自行提供,APTC60DDAM70T3G內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板: 惠水县| 远安县| 栖霞市| 南靖县| 山阴县| 松滋市| 大田县| 乌海市| 织金县| 兴国县| 保山市| 萍乡市| 承德县| 榆林市| 鄄城县| 敦化市| 洱源县| 乌恰县| 嫩江县| 缙云县| 邵阳市| 云林县| 大洼县| 东海县| 普定县| 九龙城区| 九江县| 松溪县| 获嘉县| 青海省| 石家庄市| 旅游| 双牌县| 大悟县| 五河县| 大兴区| 太白县| 射洪县| 南京市| 安宁市| 涡阳县|