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APTGF50DA120TG

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
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  • 1
APTGF50DA120TG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT 1200V 75A 312W SP4
  • RoHS
  • 類別
  • 半導體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大)
  • 600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開)
  • 1.4V @ 15V,100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止(最大)
  • 100µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標準
  • NTC 熱敏電阻
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應商設備封裝
  • SOT-227B
APTGF50DA120TG 技術參數
  • APTGF50DA120T1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 75A 312W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.45nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGF50A60T1G 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 600V 65A 250W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:過期 IGBT 類型:NPT 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):65A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.45V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):2.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGF50A120TG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:NPT 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.45nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF50A120T1G 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 75A 312W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.45nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGF500U60D4G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 625A 2000W Chassis Mount D4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):625A 功率 - 最大值:2000W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.45V @ 15V,500A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):26nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D4 供應商器件封裝:D4 標準包裝:1 APTGF50H120TG APTGF50H60T1G APTGF50H60T2G APTGF50H60T3G APTGF50SK120T1G APTGF50SK120TG APTGF50TA120PG APTGF50TDU120PG APTGF50TL60T3G APTGF50VDA120T3G APTGF50VDA60T3G APTGF50X60T3G APTGF530U120D4G APTGF660U60D4G APTGF75DA120T1G APTGF75DA60D1G APTGF75DDA120TG APTGF75DH120TG
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