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APTGT400SK120D3G

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTGT400SK120D3G
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐/曹先生/高先生
電話：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
27924
Microsemi Corporation
D-3 Module
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

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1

您是不是要找： APTGT400SK120G APTGT400SK60D3G APTGT400TL65G APTGT400U120D4G APTGT400U170D4G APTGT450A60G APTGT450DA60G APTGT450DU60G APTGT450SK60G

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功能描述
IGBT 1200V 580A 2100W D3
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
-
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

APTGT400SK120D3G 技術參數(shù)

APTGT400DU120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 560A 1785W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:雙，共源電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:560A 功率 - 最大值:1785W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，400A 電流 - 集電極截止（最大值）:750μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:28nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT400DA60D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 500A 1250W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，400A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:24nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-3 模塊供應商器件封裝:D3 標準包裝:1 APTGT400DA120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 560A 1785W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:560A 功率 - 最大值:1785W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，400A 電流 - 集電極截止（最大值）:750μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:28nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT400DA120D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 580A 2100W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:580A 功率 - 最大值:2100W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，400A 電流 - 集電極截止（最大值）:750μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:29nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-3 模塊供應商器件封裝:D3 標準包裝:1 APTGT400A60D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 500A 1250W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，400A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:24nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-3 模塊供應商器件封裝:D3 標準包裝:1 APTGT50A1202G APTGT50A120D1G APTGT50A120T1G APTGT50A120TG APTGT50A170D1G APTGT50A170T1G APTGT50A170TG APTGT50A60T1G APTGT50DA120D1G APTGT50DA120TG APTGT50DA170D1G APTGT50DA170T1G APTGT50DA170TG APTGT50DDA120T3G APTGT50DDA60T3G APTGT50DH120T3G APTGT50DH120TG APTGT50DH170TG