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APU0065YE

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  • APU0065YE
    APU0065YE

    APU0065YE

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 20704

  • AnpenElectr

  • N/A

  • 最新批次

  • -
  • 代理此型號.原裝正品現貨

  • APU0065YE
    APU0065YE

    APU0065YE

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • Anpen Electr

  • 2000+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • APU0065YE
    APU0065YE

    APU0065YE

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區華強北華強花園B9F

  • 9800

  • AnpenElectr

  • 18+

  • -
  • 優勢庫存,原裝現貨

  • APU0065YE
    APU0065YE

    APU0065YE

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 3950

  • ANPENELEC

  • NA

  • 2000+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
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APU0065YE 技術參數
  • APTSM120TAM33CTPAG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):112A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):33 毫歐 @ 60A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):408nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7680pF @ 1000V 功率 - 最大值:714W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:10 APTSM120AM55CT1AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道(雙),肖特基 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):74A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 40A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):272nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5120pF @ 1000V 功率 - 最大值:470W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:10 APTSM120AM25CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道(雙),肖特基 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):148A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 80A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):544nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10200pF @ 1000V 功率 - 最大值:937W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:10 APTSM120AM14CD3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:* 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道(雙),肖特基 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):337A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 180A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 9mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1224nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):23000pF @ 1000V 功率 - 最大值:2140W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:* 封裝/外殼:* 供應商器件封裝:* 標準包裝:10 APTSM120AM09CD3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:有效 標準包裝:10 AP-UM001GR13CS-2T AP-UM001GR23CS-2NRT AP-UM001GR23CS-2T AP-UM001GR31CG-2MSNRT AP-UM001GR31CG-2MST AP-UM001GR40CG-2NRT AP-UM001GR40CG-2T AP-UM001GT13ES-2MHNRT AP-UM001GT13ES-2MHT AP-UM001GT13ES-2MSNRT AP-UM001GT13ES-2MST AP-UM001GT13ES-2NRT AP-UM001GT13ES-2T AP-UM001GT23ES-2NRT AP-UM001GT23ES-2T AP-UM001GT31EG-2MSNRT AP-UM001GT31EG-2MST AP-UM001GT40EG-2NRT
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