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ATP245SM

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
ATP245SM PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • CRYSTAL 24.576 MHZ SERIES SMD
  • RoHS
  • 否
  • 類別
  • 晶體和振蕩器 >> 晶體
  • 系列
  • ATP-SM
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
  • 系列
  • ABLS2
  • 類型
  • MHz 晶體
  • 頻率
  • 3.579545MHz
  • 頻率穩(wěn)定性
  • ±30ppm
  • 頻率公差
  • ±30ppm
  • 負(fù)載電容
  • 18pF
  • ESR（等效串聯(lián)電阻）
  • 180 歐姆
  • 工作模式
  • 基諧
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 85°C
  • 額定值
  • -
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • HC49/US
  • 尺寸/尺寸
  • 0.449" L x 0.185" W（11.40mm x 4.70mm）
  • 高度
  • 0.130"（3.30mm）
  • 包裝
  • 剪切帶 (CT)
  • 產(chǎn)品目錄頁面
  • 1683 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名稱
  • 535-9855-1
ATP245SM 技術(shù)參數(shù)
  • ATP218-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):上次購買時(shí)間 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.8 毫歐 @ 50A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:70nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6600pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 ATP216-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):上次購買時(shí)間 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 18A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 ATP214-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.1 毫歐 @ 38A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:96nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4850pF @ 20V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 ATP213-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3150pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATP212-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1820pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATP602-TL-H ATP613-TL-H ATPANCOORDINATOR-EK ATPH18500150SET ATPH18500200SET ATPH18650200SET ATPH18650250SET ATPH33MAHA ATPL00B-AZU-Y ATPL00BDK-99 ATPL00BSK-99 ATPL100A-AZU-Y ATPL100AEK ATPL100DK-99 ATPL100SK-99 ATPL10SFLT-99 ATPL210A-A1U-Y ATPL210DK-99
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