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ATP6039SNR

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ATP6039SNR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

ATP6039SNR 技術參數

ATP602-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:生命周期結束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.7 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:350pF @ 30V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP4PS-CKIT 功能描述:4 Position Rectangular Plug and Receptacle Connector Crimp 12-14 AWG 制造商:amphenol sine systems corp 系列:ATP 系列? 包裝:散裝零件狀態:有效連接器類型:插頭和插座觸頭類型:母插口；公插腳針腳數:4 間距:- 排數:2 排距:- 安裝類型:自由懸掛緊固類型:銷鎖電纜端接:壓接線纜類型:離散式線規:12-14 AWG 特性:楔形鎖觸頭鍍層:- 觸頭鍍層厚度:- 顏色:灰標準包裝:10 ATP405-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:68nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4000pF @ 20V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP404-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 95A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:95A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.2 毫歐 @ 48A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6400pF @ 20V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP404-H-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 95A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:3,000 ATPL00BSK-99 ATPL100A-AZU-Y ATPL100AEK ATPL100DK-99 ATPL100SK-99 ATPL10SFLT-99 ATPL210A-A1U-Y ATPL210DK-99 ATPL210SK-99 ATPL21SFLT-99 ATPL21SFPR-99 ATPL220A-A1U-Y ATPL230A-AKU-R ATPL230A-AKU-Y ATPL230A-EK ATPL230AG55J19-R ATPL250A-AKU-R ATPL250A-AKU-Y