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AUIRF7342QTRPBF

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AUIRF7342QTRPBF
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
TY/臺灣半導體
SOP8
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

AUIRF7342QTRPBF
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
IR
SOP-8
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！

AUIRF7342QTRPBF
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
6000
IR
SOP-8
15+
-
原裝正品，假一罰十

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AUIRF7342QTRPBF 技術參數

AUIRF7342QTR 功能描述:MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 3.4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:690pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AUIRF7342Q 功能描述:MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 3.4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:690pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:95 AUIRF7341QTR 功能描述:MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.1A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 5.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:780pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 AUIRF7341Q 功能描述:MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.1A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 5.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:780pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:95 AUIRF7319QTR 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.5A，4.9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:29 毫歐 @ 5.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:650pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:4,000 AUIRF7640S2TR AUIRF7647S2TR AUIRF7648M2TR AUIRF7665S2TR AUIRF7669L2TR AUIRF7675M2TR AUIRF7732S2TR AUIRF7734M2TR AUIRF7736M2TR AUIRF7737L2TR AUIRF7738L2TR AUIRF7739L2TR AUIRF7749L2TR AUIRF7759L2TR AUIRF7769L2TR AUIRF7799L2TR AUIRF7805Q AUIRF7805QTR