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AUIRF7738L2TR

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  • AUIRF7738L2TR
    AUIRF7738L2TR

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • AUIRF7738L2TR
    AUIRF7738L2TR

    AUIRF7738L2TR

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • INTERNATI

  • 1521+

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  • 全新原裝現貨

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AUIRF7738L2TR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRF7738L2TR 技術參數
  • AUIRF7737L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):31A(Ta),156A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.9 毫歐 @ 94A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):134nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5469pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 L6 供應商器件封裝:DIRECTFET L6 標準包裝:4,000 AUIRF7736M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A(Ta),108A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 毫歐 @ 65A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):108nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4267pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 M4 供應商器件封裝:DIRECTFET? M4 標準包裝:4,800 AUIRF7734M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):17A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.9 毫歐 @ 43A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2545pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 M2 供應商器件封裝:DIRECTFET? M2 標準包裝:4,800 AUIRF7732S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.95 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1700pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 SC 供應商器件封裝:DIRECTFET? SC 標準包裝:4,800 AUIRF7675M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 150V 90A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.4A(Ta),18A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):32nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1360pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.7W(Ta),45W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):56 毫歐 @ 11A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DIRECTFET? M2 封裝/外殼:DirectFET? 等距 M2 標準包裝:1 AUIRF9540N AUIRF9952Q AUIRF9952QTR AUIRF9Z34N AUIRFB3207 AUIRFB3806 AUIRFB4410 AUIRFB4610 AUIRFB8405 AUIRFB8407 AUIRFB8409 AUIRFBA1405 AUIRFL014N AUIRFL014NTR AUIRFL024N AUIRFL024NTR AUIRFN7107TR AUIRFN7110TR
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