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AUIRF9540N

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

AUIRF9540N
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-220
25+
-
國產品牌，替代進口

AUIRF9540N
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

AUIRF9540N
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
100000
Internation.Rectifer
N/A
15+
-
原裝正品價格優勢！

AUIRF9540N
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
INTERNATI
1521+
-
全新原裝現貨

AUIRF9540N
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
7500
IR
TO-220AB
13+
-
全新原裝，現貨，價優！

1/1頁 40條/頁共24條
1

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AUIRF9540N PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
MOSFET AUTO -100V 1 P-CH HEXFET 117mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

AUIRF9540N 技術參數

AUIRF8739L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 545A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:57A（Ta），545A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.6 毫歐 @ 195A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:562nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:17890pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 L8 供應商器件封裝:DIRECTFET L8 標準包裝:4,000 AUIRF8736M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 137A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:27A（Ta），137A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.9 毫歐 @ 85A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:204nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6867pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 M4 供應商器件封裝:DIRECTFET? M4 標準包裝:4,800 AUIRF7805QTR 功能描述:MOSFET N CH 30V 13A 8-SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 7A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:31nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:4,000 AUIRF7805Q 功能描述:MOSFET N CH 30V 13A 8-SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 7A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:31nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:95 AUIRF7799L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:375A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:165nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6714pF @ 25V 功率 - 最大值:4.3W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DirectFET? 等距 L8 供應商器件封裝:DIRECTFET L8 標準包裝:4,000 AUIRFB8409 AUIRFBA1405 AUIRFL014N AUIRFL014NTR AUIRFL024N AUIRFL024NTR AUIRFN7107TR AUIRFN7110TR AUIRFN8401TR AUIRFN8403TR AUIRFN8405TR AUIRFN8458TR AUIRFN8459TR AUIRFP064N AUIRFP1405 AUIRFP2602 AUIRFP2907 AUIRFP2907Z