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1N5336G

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1N5336G 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5336E3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):4.3V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5336E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):4.3V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 1N5336E3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):4.3V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5336CE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):4.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5336CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):4.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 1N5337B/TR8 1N5337BE3/TR12 1N5337BE3/TR13 1N5337BE3/TR8 1N5337BG 1N5337BRL 1N5337BRLG 1N5337C/TR12 1N5337C/TR8 1N5337CE3/TR12 1N5337CE3/TR13 1N5337CE3/TR8 1N5337E3/TR12 1N5337E3/TR13 1N5337E3/TR8 1N5338/TR12 1N5338/TR8 1N5338A/TR12
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