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B65820B1008D

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B65820B1008D
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
20
EPCO
N/A
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B65820B1008D 技術參數

B65820A5000X000 功能描述:INSULATING WASHER RM 7 制造商:epcos (tdk) 系列:B65820 零件狀態:在售配件類型:絕緣墊圈配套使用產品/相關產品:RM 供應商器件封裝:RM 7 標準包裝:2,000 B65820A5000X 功能描述:Supplier Device Package RM 7 制造商:epcos (tdk) 系列:B65820 零件狀態:有效配件類型:絕緣墊圈配套使用產品/相關產品:RM 供應商器件封裝:RM 7 標準包裝:2,000 B65819PR92 功能描述:FERRITE CORE RM 2.6UH N92 制造商:epcos (tdk) 系列:B65819P 零件狀態:有效內核類型:RM 電感因數（Al）:2.6μH 容差:-20%，+30% 間隙:無缺口有效磁導率 (μe):1070 初始磁導率（μi）:1500 材料:N92 磁心因數（ΣI/A） mm-1:0.52 有效長度（e） mm:23.5 有效面積（Ae）mm2:45.3 最小磁心橫截面（Amin）?mm2:39.6 有效磁體體積（Ve） mm3:1060 表面:無涂層供應商器件封裝:RM 7 LP 高度:4.90mm 長度:20.30mm 寬度:- 直徑:- 標準包裝:250 B65819PR87 功能描述:FERRITE CORE RM 3.3UH N87 制造商:epcos (tdk) 系列:B65819P 零件狀態:有效內核類型:RM 電感因數（Al）:3.3μH 容差:-20%，+30% 間隙:無缺口有效磁導率 (μe):1360 初始磁導率（μi）:2200 材料:N87 磁心因數（ΣI/A） mm-1:0.52 有效長度（e） mm:23.5 有效面積（Ae）mm2:45.3 最小磁心橫截面（Amin）?mm2:39.6 有效磁體體積（Ve） mm3:1060 表面:無涂層供應商器件封裝:RM 7 LP 高度:4.90mm 長度:20.30mm 寬度:- 直徑:- 標準包裝:250 B65819PR49 功能描述:FERRITE CORE RM 2.4UH N49 制造商:epcos (tdk) 系列:B65819P 零件狀態:有效內核類型:RM 電感因數（Al）:2.4μH 容差:-20%，+30% 間隙:無缺口有效磁導率 (μe):990 初始磁導率（μi）:1500 材料:N49 磁心因數（ΣI/A） mm-1:0.52 有效長度（e） mm:23.5 有效面積（Ae）mm2:45.3 最小磁心橫截面（Amin）?mm2:39.6 有效磁體體積（Ve） mm3:1060 表面:無涂層供應商器件封裝:RM 7 LP 高度:4.90mm 長度:20.30mm 寬度:- 直徑:- 標準包裝:250 B65822J1008T1 B65839A0000R030 B65839A0000R045 B65839A0000R057 B65839A0000R065 B65839A0000Y066 B65839A0040A033 B65839A0063A038 B65839A0063A057 B65839A0063A087 B65839A0100A045 B65839A0100A057 B65839A0100A087 B65839A0100J030 B65839A0100J087 B65839A0125B038 B65839A0125B057 B65839A0125B087