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B82111-B-C19

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B82111-B-C19 技術參數
  • B82111BC19 功能描述:13μH Unshielded Wirewound Inductor 3A 24 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:13μH 容差:±20% 額定電流:3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):24 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:170MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 大小/尺寸:0.256" 直徑 x 0.965" 長(6.50mm x 24.50mm) 高度 - 安裝(最大值):- 標準包裝:200 B82111BC18 功能描述:11μH Unshielded Wirewound Inductor 4A 20 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:11μH 容差:±20% 額定電流:4A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):20 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:150MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 大小/尺寸:0.256" 直徑 x 0.965" 長(6.50mm x 24.50mm) 高度 - 安裝(最大值):- 標準包裝:200 B82111BC17 功能描述:6μH Unshielded Wirewound Inductor 6A 10 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:6μH 容差:±20% 額定電流:6A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):10 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:200MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 大小/尺寸:0.275" 直徑 x 0.965" 長(7.00mm x 24.50mm) 高度 - 安裝(最大值):- 標準包裝:200 B82111BC16 功能描述:3μH Unshielded Wirewound Inductor 9A 6 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3μH 容差:±20% 額定電流:9A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):6 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:220MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 大小/尺寸:0.295" 直徑 x 0.965" 長(7.50mm x 24.50mm) 高度 - 安裝(最大值):- 標準包裝:200 B82111BC14 功能描述:17μH Unshielded Wirewound Inductor 2A 63 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:17μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):63 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 大小/尺寸:0.275" 直徑 x 0.945" 長(7.00mm x 24.00mm) 高度 - 安裝(最大值):- 標準包裝:200 B82111EC22 B82111EC23 B82111EC24 B82111EC25 B82111EC26 B82111EC27 B82111EC28 B82111EC29 B82114RA1 B82114RA4 B82114RC1 B82114RC4 B82131A5151M B82131A5152M B82131A5202M B82131A5301M B82131A5301M000 B82131A5302M
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