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BAP6FM37

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BAP6FM37 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BAP6FM37 技術參數

BAP65LX,315 功能描述:DIODE SILICON PIN SOD-882T 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售二極管類型:PIN - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 時的電容:0.37pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:350 毫歐 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:135mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）封裝/外殼:SOD-882 供應商器件封裝:SOD2 基本零件編號:BAP65 標準包裝:1 BAP65-05W,115 功能描述:DIODE PIN 30V 100MA SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產二極管類型:PIN - 1 對共陰極電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 時的電容:0.425pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:350 毫歐 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:240mW 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 BAP65-05,215 功能描述:RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 30V 100mA 250mW SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:PIN - 1 對共陰極電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 時的電容:0.425pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:350 毫歐 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:3,000 BAP65-03,115 功能描述:DIODE PIN 30V 100MA SOD-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:PIN - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 時的電容:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:350 毫歐 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:500mW 封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:SOD-323 標準包裝:1 BAP65-02,135 功能描述:RF Diode PIN - Single 30V 100mA 715mW SOD-523 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:PIN - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 時的電容:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:350 毫歐 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:715mW 封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:SOD-523 標準包裝:10,000 BAQ134-GS08 BAQ134-GS18 BAQ135-GS08 BAQ135-GS18 BAQ333-TR BAQ333-TR3 BAQ334-TR BAQ334-TR3 BAQ335-TR BAQ335-TR3 BAQ33-GS08 BAQ33-GS18 BAQ34-GS08 BAQ34-GS18 BAQ35-GS08 BAQ35-GS18 BAR 14-1 E6327 BAR 15-1 E6327