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BAS316G

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  • BAS316GP
    BAS316GP

    BAS316GP

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 91000

  • 力勤/Chenmk

  • SC-76

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • BAS316G-LS-HF
    BAS316G-LS-HF

    BAS316G-LS-HF

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • SOD-323

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • BAS316G
    BAS316G

    BAS316G

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503

    資質:營業執照

  • 6875

  • LISION

  • SOD-323

  • 10+

  • -
  • 原裝現貨/特價

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BAS316G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BAS316G 技術參數
  • BAS316/ZLX 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):215mA(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 時的電容:1pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76,SOD-323 供應商器件封裝:SOD-323 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:3,000 BAS316/ZLF 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):215mA(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 時的電容:1.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76,SOD-323 供應商器件封裝:SOD-323 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:10,000 BAS316/DG/B3,135 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態:停產 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):250mA(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 時的電容:1.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:10,000 BAS316/DG/B3,115 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態:停產 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):250mA(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 時的電容:1.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:3,000 BAS316,H3F 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):250mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):3ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 80V 不同?Vr,F 時的電容:0.35pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76,SOD-323 供應商器件封裝:USC 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:3,000 BAS321/ZLX BAS321Z BAS32L,115 BAS32L,135 BAS33-TAP BAS34-TAP BAS34-TR BAS35 BAS35,215 BAS381-TR BAS381-TR3 BAS382-TR BAS382-TR3 BAS383-TR BAS383-TR3 BAS385-TR BAS385-TR3 BAS386-TR
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