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BAS516315

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BAS516315 技術參數

BAS516,L3F 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:3ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:0.35pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:8,000 BAS516,H3F 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:3ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:0.35pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:4,000 BAS516,315 功能描述:Diode Standard 100V 250mA (DC) Surface Mount SOD-523 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:1pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:SOD-523 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:8,000 BAS516,135 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:1pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:SOD-523 工作溫度 - 結:150°C（最大）基本零件編號:BAS516 標準包裝:1 BAS516,115 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:1pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:SOD-523 工作溫度 - 結:150°C（最大）基本零件編號:BAS516 標準包裝:1 BAS521LPQ-7B BAS521Q-13 BAS56,215 BAS56,235 BAS581-02V-V-G-08 BAS69-04WFILM BAS69-05WFILM BAS69-06WFILM BAS69-07P6FILM BAS69-09P6FILM BAS69KFILM BAS69WFILM BAS70 RFG BAS70,215 BAS70,235 BAS70-00-E3-08 BAS70-00-E3-18 BAS70-00-G3-08