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BAV21.TR

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BAV21.TR 技術參數

BAV21,143 功能描述:Diode Standard 200V 250mA (DC) Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:5,000 BAV21,133 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 250MA ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 200mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 工作溫度 - 結:175°C（最大）基本零件編號:BAV21 標準包裝:1 BAV21,113 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 250MA ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 200mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 BAV21 A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:250V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 250V 不同?Vr，F 時的電容:5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BAV21 功能描述:Diode Standard 250V 200mA Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:250V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:2,000 BAV21-TR BAV21W RHG BAV21W-7 BAV21W-7-F BAV21W-E3-08 BAV21W-E3-18 BAV21W-G RHG BAV21W-G3-08 BAV21W-G3-18 BAV21W-HE3-08 BAV21W-HE3-18 BAV21WS R9G BAV21WS RRG BAV21WS-7 BAV21WS-7-F BAV21WS-E3-08 BAV21WS-E3-18 BAV21WS-G RRG