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BBS4/10

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BBS4/10 技術參數
  • BBS-4 功能描述:FUSE CARTRIDGE 4A 600VAC NON STD 制造商:eaton 系列:BBS 包裝:散裝 零件狀態:有效 保險絲類型:盒 額定電流:4A 額定電壓 - AC:600V 額定電壓 - DC:- 響應時間:快速 應用:電氣,工業 特性:- 類別:- 認可:CE,CSA,UL 工作溫度:- 不同額定電壓時的熔斷能力:10kA 安裝類型:支座 封裝/外殼:盒,非標準 大小/尺寸:0.410" 直徑 x 1.380" 長(10.41mm x 35.05mm) 融斷 I2t:- DC 冷態電阻:- 標準包裝:10 BBS3002-TL-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 100A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.8 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13200pF @ 20V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 凸片)變型 供應商器件封裝:TO-263-3 標準包裝:1 BBS3002-DL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 100A SMP-FD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.8 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13200pF @ 20V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:SMP-FD 標準包裝:1,000 BBS3002-DL-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.8 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13200pF @ 20V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK(TO-263) 標準包裝:1 BBS-2 功能描述:FUSE CARTRIDGE 2A 600VAC NON STD 制造商:eaton 系列:BBS 包裝:散裝 零件狀態:有效 保險絲類型:盒 額定電流:2A 額定電壓 - AC:600V 額定電壓 - DC:- 響應時間:快速 應用:電氣,工業 特性:- 類別:- 認可:CE,CSA,UL 工作溫度:- 不同額定電壓時的熔斷能力:10kA 安裝類型:支座 封裝/外殼:盒,非標準 大小/尺寸:0.410" 直徑 x 1.380" 長(10.41mm x 35.05mm) 融斷 I2t:- DC 冷態電阻:- 標準包裝:10 BBT3821-JH BBT3821LP-JH BB-TG.30.8113 BBU17-100E BBU17-100K BBU17-10E BBU17-125E BBU17-140K BBU17-150E BBU17-15E BBU17-175E BBU17-200E BBU17-200K BBU17-20E BBU17-30E BBU17-30SE BBU17-3K BBU17-40E
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