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BBS47P081F04B

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BBS47P081F04B 技術參數

BBS-4 功能描述:FUSE CARTRIDGE 4A 600VAC NON STD 制造商:eaton 系列:BBS 包裝:散裝零件狀態:有效保險絲類型:盒額定電流:4A 額定電壓 - AC:600V 額定電壓 - DC:- 響應時間:快速應用:電氣，工業特性:- 類別:- 認可:CE，CSA，UL 工作溫度:- 不同額定電壓時的熔斷能力:10kA 安裝類型:支座封裝/外殼:盒，非標準大小/尺寸:0.410" 直徑 x 1.380" 長（10.41mm x 35.05mm）融斷 I2t:- DC 冷態電阻:- 標準包裝:10 BBS3002-TL-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 100A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13200pF @ 20V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型供應商器件封裝:TO-263-3 標準包裝:1 BBS3002-DL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 100A SMP-FD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13200pF @ 20V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:SMP-FD 標準包裝:1,000 BBS3002-DL-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13200pF @ 20V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK（TO-263）標準包裝:1 BBS-2 功能描述:FUSE CARTRIDGE 2A 600VAC NON STD 制造商:eaton 系列:BBS 包裝:散裝零件狀態:有效保險絲類型:盒額定電流:2A 額定電壓 - AC:600V 額定電壓 - DC:- 響應時間:快速應用:電氣，工業特性:- 類別:- 認可:CE，CSA，UL 工作溫度:- 不同額定電壓時的熔斷能力:10kA 安裝類型:支座封裝/外殼:盒，非標準大小/尺寸:0.410" 直徑 x 1.380" 長（10.41mm x 35.05mm）融斷 I2t:- DC 冷態電阻:- 標準包裝:10 BBT3821-JH BBT3821LP-JH BB-TG.30.8113 BBU17-100E BBU17-100K BBU17-10E BBU17-125E BBU17-140K BBU17-150E BBU17-15E BBU17-175E BBU17-200E BBU17-200K BBU17-20E BBU17-30E BBU17-30SE BBU17-3K BBU17-40E