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BC638/CDIL

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BC638/CDIL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BC638/CDIL 技術參數

BC638,126 功能描述:TRANS PNP 60V 1A TO-92 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:63 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:830mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BC638,116 功能描述:TRANS PNP 60V 1A TO-92 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:63 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:830mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BC638,112 功能描述:TRANS PNP 60V 1A TO-92 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:63 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:830mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 BC638 功能描述:TRANS PNP 60V 1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BC637RL1G 功能描述:TRANS NPN 60V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BC639,116 BC639,126 BC639_D26Z BC639_D27Z BC639_D74Z BC639_D75Z BC639_D81Z BC639_J35Z BC639_L34Z BC63916 BC63916_D26Z BC63916_D27Z BC63916_D74Z BC63916_J35Z BC63916-D27Z BC63916-D74Z BC639-16ZL1 BC639-16ZL1G