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BC639_J35Z

配單專家企業名單
  • 型號
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  • 封裝
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BC639_J35Z PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT NPN GEN PURP XTOR
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
BC639_J35Z 技術參數
  • BC639_D81Z 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BC639_D75Z 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BC639_D74Z 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BC639_D27Z 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BC639_D26Z 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BC639-16ZL1G BC639G BC639RL1 BC639RL1G BC639ZL1 BC639ZL1G BC63B239A04-AQK-E4 BC63B239A04-IQD-E4 BC63B239A04-IUE-E4 BC63B239A04-IYB-E4 BC63B239A05-AQK-E4 BC63C159A03-GIVA-E4 BC63C159A03-IQB-E4 BC63M100 BC63M80 BC640 BC640,112 BC640,116
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