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BC646MPHSBA

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BC646MPHSBA 技術參數
  • BC640ZL1G 功能描述:TRANS PNP 80V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BC640ZL1 功能描述:TRANS PNP 80V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BC640TFR 功能描述:TRANS PNP 80V 1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BC640TF 功能描述:TRANS PNP 80V 1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BC640TAR 功能描述:TRANS PNP 80V 1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BC69PASX BC6-Q308-02 BC6-Q308-03 BC6-Q308-06 BC6-Q308-10 BC6-Q308-13 BC6-Q408-10 BC6-Q408-14 BC-6SE005M BC-6SE010M BC-6SE020M BC-6SE030M BC-6SE050M BC-6SG005M BC-6SG010M BC-6SG020M BC-6SG030M BC-6SG050M
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