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BC847BLT1/1F

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BC847BLT1/1F 技術參數

BC847BLT1 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:10 BC847BLP-7B 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A DFN1006-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-UFDFN 供應商器件封裝:3-DFN1006（1.0x0.6）標準包裝:1 BC847BLP-7 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A 3-DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-UFDFN 供應商器件封裝:3-DFN1006（1.0x0.6）標準包裝:1 BC847BLP4-7B 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A DFN1006H4-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:X2-DFN1006-3 標準包裝:1 BC847BLP4-7 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A 3-DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:X2-DFN1006-3 標準包裝:1 BC847BPDW1T1G BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T3G BC847BPDXV6T1 BC847BPDXV6T1G BC847BPDXV6T5G BC847BPN,115 BC847BPN,125 BC847BPN,135 BC847BPN,165 BC847BPN/DG/B2,115 BC847BQAZ BC847BS BC847BS,115 BC847BS,135 BC847BS/DG/B2,115 BC847BS-7-F BC847BS-TP