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BC847BT-FDICT

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BC847BT-FDICT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BC847BT-FDICT 技術參數

BC847BT-7-F 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 BC847BT-7 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SMD SOT-523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 BC847BT116 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SST3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SST3 標準包裝:1 BC847BT,115 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 BC847BT TR 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 BC847BVN-7 BC847BV-TP BC847BW RFG BC847BW,115 BC847BW,135 BC847BW/ZLF BC847BW/ZLX BC847BW-7-F BC847BWE6327BTSA1 BC847BWE6433HTMA1 BC847BWH6327XTSA1 BC847BWH6433XTMA1 BC847BWT1G BC847BW-TP BC847C RFG BC847C,215 BC847C,235 BC847C/DG/B3,215