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BC857BLT1G.

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BC857BLT1G. PDF下載

制造商
ON Semiconductor
功能描述
Bipolar Transistor

BC857BLT1G. 技術參數

BC857BLT1G 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:1 BC857BLT1 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:10 BC857BLP-7B 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-UFDFN 供應商器件封裝:3-DFN1006（1.0x0.6）標準包裝:1 BC857BLP-7 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A 3-DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-UFDFN 供應商器件封裝:3-DFN1006（1.0x0.6）標準包裝:1 BC857BLP4-7B 功能描述:TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006H4-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:X2-DFN1006-3 標準包裝:1 BC857BS-13-F BC857BS-7-F BC857BT,115 BC857BT116 BC857BT-7 BC857BT-7-F BC857B-TP BC857BTT1 BC857BTT1G BC857BV,115 BC857BV-7 BC857BV-TP BC857BW,115 BC857BW,135 BC857BW/ZLF BC857BW/ZLX BC857BW-7-F BC857BWE6327BTSA1