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BC858AWE-6327

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BC858AWE-6327 技術(shù)參數(shù)

BC858AW-7-F 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:3,000 BC858AMTF 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:110 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:310mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 BC858ALT1G 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:1 BC858ALT1 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:3,000 BC858A-HF 功能描述:TRANS PNP 30V 100MA SOT23 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2.2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 BC858B-HF BC858BL3E6327 BC858BLT1G BC858BLT3G BC858BMTF BC858BT116 BC858BW-7-F BC858BWE6327HTSA1 BC858BW-G BC858BWH6327XTSA1 BC858BWT1 BC858BWT106 BC858BWT1G BC858C BC858C RFG BC858C-7-F BC858CDW1T1 BC858CDW1T1G