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BC858CE6433HTMA1

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  • BC858CE6433HTMA1
    BC858CE6433HTMA1

    BC858CE6433HTMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • AF TRANSISTORS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • TRANSISTOR PNP AF 30V SOT-23
BC858CE6433HTMA1 技術參數
  • BC858CE6327HTSA1 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:330mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BC858CDXV6T5G 功能描述:TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT563 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:2 PNP(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:8,000 BC858CDXV6T5 功能描述:TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT563 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:2 PNP(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:8,000 BC858CDXV6T1G 功能描述:TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT-563 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:2 PNP(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 BC858CDW1T1G 功能描述:TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT363 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:2 PNP(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:380mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:SC-88/SC70-6/SOT-363 標準包裝:3,000 BC858W,115 BC858W,135 BC859AMTF BC859B,215 BC859BLT1 BC859BLT1G BC859BLT3G BC859BMTF BC859BW,115 BC859BW,135 BC859C,215 BC859C,235 BC859CE6327HTSA1 BC859CLT1 BC859CLT1G BC859CMTF BC859CW,115 BC859CW,135
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