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BCR1/102002F

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價格
說明
操作

BCR1/102002FT
北京杰創宏達電子有限公司
北京杰創宏達電子有限公司
聯系人：沈小姐/伊小姐/張先生
電話：010-61190909
地址：北京市海淀區安寧莊26號悅MOMA701室
資質：營業執照
2220
BiTechnology
原廠原裝
24+
-
授權代理商

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1

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BCR1/102002F 技術參數

BCR08PNH6727XTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:上次購買時間晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BCR08PNH6433XTMA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:上次購買時間晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:10,000 BCR08PNH6327XTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:上次購買時間晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BCR08PNE6433HTMA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:10,000 BCR08PNE6327BTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:2.2k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:170MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:1 BCR108SH6433XTMA1 BCR108WE6327BTSA1 BCR108WH6327XTSA1 BCR108WH6433XTMA1 BCR10CM-12LB#BB0 BCR10CM-16LH#BB0 BCR10CS-12LBT1#BH0 BCR10CS12LBT11#B00 BCR10FM-12LB#BB0 BCR10FM-14LJ#BB0 BCR10LM-16LH-1#B00 BCR10PNB6327XT BCR10PNE6327BTSA1 BCR10PNH6327XTSA1 BCR10PNH6727XTSA1 BCR10PNH6730XTMA1 BCR112E6327HTSA1 BCR112WE6327BTSA1