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BCR192L3

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  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全稱
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • PNP Silicon Digital Transistor
BCR192L3 技術參數
  • BCR192E6785HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP SOT23 制造商:infineon technologies 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:最後搶購 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):22 kOhms 電阻器 - 發射極基底(R2):47 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BCR192E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:上次購買時間 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):22k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BCR191WH6327XTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:上次購買時間 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):22k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):22k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BCR191WE6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):22k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):22k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BCR191E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):22k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):22k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BCR198SE6327BTSA1 BCR198SH6327XTSA1 BCR198SH6827XTSA1 BCR198WE6327BTSA1 BCR198WH6327XTSA1 BCR1AM-12A#C01 BCR1AM-12A#FD0 BCR1AM-8P#B00 BCR1AM-8P#B10 BCR1BM-16A#B00 BCR205WH6327XTSA1 BCR20CM-12LB#BB0 BCR20CM-16LB#BB0 BCR20FM-12LB#BB0 BCR20FM-14LJ#BB0 BCR20RM-30LA#B00 BCR22PNE6327BTSA1 BCR22PNE6433HTMA1
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