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BCW66D

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BCW66D 技術參數

BCW65CLT1G 功能描述:TRANS NPN 32V 0.8A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:20nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:250 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:225mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:1 BCW65CLT1 功能描述:TRANS NPN 32V 0.8A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:20nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:250 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:225mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:3,000 BCW65ALT1G 功能描述:TRANS NPN 32V 0.8A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:20nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:225mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:1 BCW65ALT1 功能描述:TRANS NPN 32V 0.8A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:20nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:225mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:3,000 BCW61DTA 功能描述:TRANS PNP 32V 0.2A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:550mV @ 1.25mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:20nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:380 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:330mW 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 BCW66HR BCW66HTA BCW66HTC BCW66HVL BCW66KE6359HTMA1 BCW66KFE6327HTSA1 BCW66KGE6327HTSA1 BCW66KHB6327HTLA1 BCW66KHE6327HTSA1 BCW67BE6327HTSA1 BCW67CE6327HTSA1 BCW68FE6327HTSA1 BCW68FR BCW68FVL BCW68G BCW68GE6327HTSA1 BCW68GLT1G BCW68GLT3G