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BD536-T/ISC

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BD536-T/ISC 技術參數
  • BD536J 功能描述:TRANS PNP 60V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 600mA,6A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 2A,2V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,200 BD5360G-TR 功能描述:電壓監測器/監控器 CMOS DETEC VOLT 6.0V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 監測電壓數:2 監測電壓:Adjustable 輸出類型:Open Drain 欠電壓閾值: 過電壓閾值: 準確性:1 % 工作電源電壓:1.5 V to 6.5 V 工作電源電流:1.8 uA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SON-6 安裝風格:SMD/SMT BD5360FVE-TR 功能描述:電壓監測器/監控器 CMOS DETEC VOLT 6.0V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 監測電壓數:2 監測電壓:Adjustable 輸出類型:Open Drain 欠電壓閾值: 過電壓閾值: 準確性:1 % 工作電源電壓:1.5 V to 6.5 V 工作電源電流:1.8 uA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SON-6 安裝風格:SMD/SMT BD536 功能描述:TRANS PNP 60V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 600mA,6A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):25 @ 2A,2V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BD535J 功能描述:TRANS NPN 60V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 2A,2V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,200 BD539C-S BD539-S BD53E29G-TR BD540-30 BD540A-S BD540B-S BD540C-S BD5413EFV-E2 BD5423AEFS-E2 BD5423EFS-E2 BD5423MUV-E2 BD5424EFS-E2 BD5426EFS-E2 BD5426MUV-E2 BD5427EFS-E2 BD5427MUV-E2 BD5431EFS-E2 BD543B-S
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