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BD538-T/IPS

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BD538-T/IPS 技術參數
  • BD538KTU 功能描述:TRANS PNP 80V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 600mA,6A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 2A,2V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 BD538K 功能描述:TRANS PNP 80V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 600mA,6A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 2A,2V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,200 BD538J 功能描述:TRANS PNP 80V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 600mA,6A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 2A,2V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,200 BD537KTU 功能描述:TRANS NPN 80V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 2A,2V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 BD537K 功能描述:TRANS NPN 80V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 2A,2V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,200 BD5413EFV-E2 BD5423AEFS-E2 BD5423EFS-E2 BD5423MUV-E2 BD5424EFS-E2 BD5426EFS-E2 BD5426MUV-E2 BD5427EFS-E2 BD5427MUV-E2 BD5431EFS-E2 BD543B-S BD543C-S BD5444EFV-E2 BD5445EFV-E2 BD5446EFV-E2 BD544A-S BD544C-S BD544-S
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