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BD680APBF

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BD680APBF 技術(shù)參數(shù)

BD680AG 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 4A TO225 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.8V @ 40mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 BD680A 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.8V @ 40mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:1 BD680 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 30mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 1.5A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:50 BD679G 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 4A TO225 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 30mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 1.5A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 BD679ASTU 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.8V @ 40mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-126 標準包裝:60 BD682S BD682STU BD682T BD682TG BD68610EFV-E2 BD68620EFV-E2 BD68710EFV-E2 BD68715EFV-E2 BD68720EFV-E2 BD6873KN-E2 BD6874GLS-E2 BD6874GSW-E2 BD6875GLS-E2 BD6883GUL-E2 BD6884GUW-E2 BD6886GUL-E2 BD6889GU-E2 BD6909AEFV-E2