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BD789.

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BD789. PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BD789. 技術參數

BD788G 功能描述:TRANS PNP 60V 4A TO-225 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 800mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 200mA，3V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 BD7881GU-E2 功能描述:IC XENON TUBE DVR CELL VCSPH3 制造商:rohm semiconductor 系列:* 零件狀態:有效標準包裝:2,500 BD788 功能描述:TRANS PNP 60V 4A TO-225 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 800mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 200mA，3V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 BD787G 功能描述:TRANS NPN 60V 4A TO-225 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 800mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 200mA，3V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 BD787 功能描述:TRANS NPN 60V 4A TO-225 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 800mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 200mA，3V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 BD7962FM-E2 BD7964FS-E2 BD7967EFS-E2 BD7996EFV-E2 BD7998EFS-E2 BD7F100EFJ-LBE2 BD7F100HFN-EVK-001 BD7F100HFN-LBTR BD7F200EFJ-LBE2 BD7F200HFN-LBTR BD809G BD80C0AFP2-CE2 BD80C0AFP-CE2 BD80C0AFPS-E2 BD80C0AWFP-CE2 BD80GA3MEFJ-LBH2 BD80GA3MEFJ-ME2 BD80GA3WEFJ-E2