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BF959-GEG/MOT

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BF959-GEG/MOT 技術參數
  • BF959G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:5,000 BF959 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:5,000 BF909WR,135 功能描述:RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 15mA 800MHz CMPAK-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:N 通道雙門 頻率:800MHz 增益:- 電壓 - 測試:5V 額定電流:40mA 噪聲系數:2dB 電流 - 測試:15mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:7V 封裝/外殼:SC-82A,SOT-343 供應商器件封裝:CMPAK-4 標準包裝:10,000 BF909WR,115 功能描述:MOSFET N-CH 7V 40MA SOT343 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:N 通道雙門 頻率:800MHz 增益:- 電壓 - 測試:5V 額定電流:40mA 噪聲系數:2dB 電流 - 測試:15mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:7V 封裝/外殼:SC-82A,SOT-343 供應商器件封裝:CMPAK-4 標準包裝:1 BF909R,235 功能描述:RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 15mA 800MHz SOT-143R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:N 通道雙門 頻率:800MHz 增益:- 電壓 - 測試:5V 額定電流:40mA 噪聲系數:2dB 電流 - 測試:15mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:7V 封裝/外殼:SOT-143R 供應商器件封裝:SOT-143R 標準包裝:10,000 BF998,215 BF998,235 BF998E6327HTSA1 BF998R,215 BF998R,235 BF998RE6327HTSA1 BF998WR,115 BF999E6327HTSA1 BF999E6433HTMA1 BFA.0B.160.LN BFA.0E.100.NAS BFA.1E.100.NAS BFA.1E.103.BAS BFA.1K.100.NAE BFA.2E.100.NAS BFA.2K.100.KZS BFA.2K.100.NAS BFA.2V.100.NAZ
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