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BF959ZL1G

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BF959ZL1G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
ON
7+
-
假一罰十，百分百原裝正品

BF959ZL1G
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
9600
TO-92 (TO-226) 5.33mm Bod
ON
17+
-
原裝正品。優勢供應

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功能描述
兩極晶體管 - BJT 100mA 20V VHF NPN
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

BF959ZL1G 技術參數

BF959ZL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF959-UV1/3 功能描述:CCFL, Ultraviolet (UV) Narrow Spectrum 375V Start, 150V Operating 5mA 0.15μW, cm2 @ 1" 9.0mm x 59mm 制造商:jkl components corp. 系列:- 零件狀態:過期大小/尺寸:9.0mm x 59mm 類型:CCFL - 紫外線（UV）窄頻譜電壓:375V 啟動，150V 操作電流:5mA 輸出:0.15μW，cm2 @ 1" 標準包裝:50 BF959RL1G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF959RL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF959G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:5,000 BF998RE6327HTSA1 BF998WR,115 BF999E6327HTSA1 BF999E6433HTMA1 BFA.0B.160.LN BFA.0E.100.NAS BFA.1E.100.NAS BFA.1E.103.BAS BFA.1K.100.NAE BFA.2E.100.NAS BFA.2K.100.KZS BFA.2K.100.NAS BFA.2V.100.NAZ BFA.3E.100.NAS BFA.3K.100.NAS BFA.3K.170.800EN BFA.4E.100.NAS BFA.4S.100.NAS