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BFG590.

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • TRANSISTOR NPN RF SOT-143
BFG590. 技術參數
  • BFG590,215 功能描述:RF Transistor NPN 15V 200mA 5GHz 400mW Surface Mount SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 70mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4,TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:3,000 BFG541,115 功能描述:TRANS NPN 15V 9GHZ SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:9GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:650mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 40mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):120mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 BFG540W/XR,135 功能描述:TRANS RF NPN 9GHZ 15V SOT343R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:9GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 40mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):120mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A,SOT-343 供應商器件封裝:CMPAK-4 標準包裝:1 BFG540W/X,115 功能描述:TRANS WIDEBAND 9GHZ SOT-343 15V 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:9GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 40mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):120mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A,SOT-343 供應商器件封裝:CMPAK-4 標準包裝:1 BFG540W,115 功能描述:TRANS RF NPN 15V 9GHZ SOT343N 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:9GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 40mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):120mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343 反向插針 供應商器件封裝:4-SO 標準包裝:1 BFG97,115 BFG97,135 BFH 2A-12 BFH000-3A/T BFH14S1P002 BFH16S1P002 BFH181P002 BFH2040857 BFH2219P002 BFH2220P002 BFH2410P002 BFH2410PW002 BFH2428P002 BFH2812P002 BFH-2A-05 BFH-2A-05C BFH-2A-05E BFH-2A-12C
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