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BFG93A_08

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制造商
VISHAY
制造商全稱
Vishay Siliconix
功能描述
Silicon NPN Planar RF Transistor

BFG93A_08 技術參數

BFG93A/X,215 功能描述:TRANS NPN 12V 35MA 6GHZ SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 30mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:1 BFG93A,215 功能描述:TRANS NPN 12V 35MA SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 30mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:1 BFG92A/X,215 功能描述:TRANS NPN 15V 25MA 5GHZ SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:65 @ 15mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:1 BFG67/X,215 功能描述:TRANS RF NPN 10V 8GHZ SOT143R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.3dB @ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:380mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:1 BFG67,235 功能描述:RF Transistor NPN 10V 50mA 8GHz 380mW Surface Mount SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:380mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:10,000 BFH2219P002 BFH2220P002 BFH2410P002 BFH2410PW002 BFH2428P002 BFH2812P002 BFH-2A-05 BFH-2A-05C BFH-2A-05E BFH-2A-12C BFH-2A-12E BFH-2C-05 BFH-2C-12 BFH-3A-05 BFH-3A-12 BFJ.1B.100.NAS BFJ.3B.100.NAS BFJ.4B.100.NAS