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BFL4007-1E

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  • BFL4007-1E
    BFL4007-1E

    BFL4007-1E

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:高先生/周小姐/曹先生

    電話:185208051481376027201713487865852

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 67644

  • onsemi

  • TO-220-3 Full Pack

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
BFL4007-1E PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 功能描述
  • NCH 10V DRIVE SERIES - Ammo Pack
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 功能描述
  • FNFLD / NCH 10V DRIVE SERIES
BFL4007-1E 技術(shù)參數(shù)
  • BFL4007 功能描述:MOSFET N-CH 600V 8.7A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):680 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FI(LS) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BFL4004-1E 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 歐姆 @ 3.25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):710pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F-3FS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BFL4004 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220F 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 歐姆 @ 3.25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):710pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FI(LS) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BFL4001-1E 功能描述:MOSFET N-CH 900V 4.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.1A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.7 歐姆 @ 3.25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):850pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 BFL4001 功能描述:MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.1A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.7 歐姆 @ 3.25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):850pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FI(LS) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BFM-1A-05E BFM-1A-12 BFM-1A-12C BFM-1A-12CW BFM-1A-12E BFM-1C-05 BFM-1C-05C BFM-1C-05CW BFM-1C-05E BFM-1C-12 BFM-1C-12C BFM-1C-12CW BFM-1C-12E BFM505,115 BFM520,115 BFN 19 E6327 BFN.1F.100.PCSG BFN.2F.100.PCSG
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