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BFR92AT/T1

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BFR92AT/T1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BFR92AT/T1 技術參數

BFR92ALT1 功能描述:RF POWER TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產晶體管類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:4.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:273mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 14mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 工作溫度:150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 BFR92A,235 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 5GHz 300mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:65 @ 15mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:10,000 BFR92A,215 功能描述:TRANS NPN 25MA 15V 5GHZ SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:65 @ 15mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 BFR843EL3E6327XTSA1 功能描述:RF Transistor NPN 2.6V 55mA 125mW Surface Mount TSLP-3-10 制造商:infineon technologies 系列:* 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:2.6V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:* 增益:25.5dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:* 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:55mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:TSLP-3-10 標準包裝:1 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 功能描述:RF Transistor NPN 2.6V 35mA 75GHz 75mW Surface Mount TSLP-3-9 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:2.6V 頻率 - 躍遷:75GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.5dB @ 450MHz 增益:27dB 功率 - 最大值:75mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:150 @ 10mA，1.8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:TSLP-3-9 標準包裝:1 BFR93AW,135 BFR93AWH6327XTSA1 BFR94A,215 BFR94AW,115 BFS 17P E6433 BFS 360L6 E6327 BFS 380L6 E6327 BFS 386L6 E6327 BFS 460L6 E6327 BFS 466L6 E6327 BFS 469L6 E6327 BFS 481 E6327 BFS 483 E6327 BFS100-48 BFS100X2000 BFS17,215 BFS17,235 BFS17A,215