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BFS17S/MC

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BFS17S/MC PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BFS17S/MC 技術參數

BFS17PE6327HTSA1 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 1.4GHz 280mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:1.4GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz 增益:- 功率 - 最大值:280mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 2mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BFS17NTA 功能描述:RF Transistor NPN 11V 50mA 3.2GHz 330mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:11V 頻率 - 躍遷:3.2GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:330mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:56 @ 5mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BFS17NQTA 功能描述:RF Transistor NPN 11V 50mA 3.2GHz 310mW Surface Mount SOT-23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:11V 頻率 - 躍遷:3.2GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:310mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:56 @ 5mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 BFS17HTC 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 1.3GHz 330mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:1.3GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:4.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:330mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:10,000 BFS17HTA 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 1.3GHz 330mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:1.3GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:4.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:330mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BFS-1A-05 BFS-1A-05C BFS-1A-05E BFS-1A-12 BFS-1A-12C BFS-1A-12E BFS20,215 BFS20,235 BFS200-12 BFS200-24 BFS200-48 BFS20W,115 BFS25A,115 BFS481H6327XTSA1 BFS483H6327XTSA1 BFS500-24 BFS500-48 BFS505,115