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BFS18RPHI

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BFS18RPHI PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BFS18RPHI 技術參數

BFS17WH6327XTSA1 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 1.4GHz 280mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:1.4GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz 增益:- 功率 - 最大值:280mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 2mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BFS17WE6327HTSA1 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 1.4GHz 280mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:1.4GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3.5dB ~ 5dB @ 800MHz 增益:- 功率 - 最大值:280mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 2mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BFS17W,135 功能描述:RF Transistor NPN 15V 50mA 1.6GHz 300mW Surface Mount SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:1.6GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:4.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 2mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:10,000 BFS17W,115 功能描述:TRANS NPN 15V 1GHZ SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:1.6GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:4.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 2mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 BFS17TA 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 1.3GHz 330mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:1.3GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:4.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:330mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 25mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BFS20,235 BFS200-12 BFS200-24 BFS200-48 BFS20W,115 BFS25A,115 BFS481H6327XTSA1 BFS483H6327XTSA1 BFS500-24 BFS500-48 BFS505,115 BFS520,115 BFS520,135 BFS540,115 BFS60-24 BFT25,215 BFT25A,215 BFT46,215