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BFU668F,115

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BFU668F,115
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯系人：鄭女士
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區佳和大廈B座1010
資質：營業執照
57945
NXP/恩智浦
4-DFP
2025+
-

BFU668F,115
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
NXP USA Inc.
SOT-343F
21+
-
質量保真，價格實惠，假一罰十

BFU668F,115
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/曹先生/高先生
電話：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
46822
NXP USA Inc.
SOT-343F
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BFU668F,115
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
NXP Semiconductors
標準封裝
15+
-
百分百原裝假一罰十

1/1頁 40條/頁共11條
1

您是不是要找： BFU690F,115 BFU710F,115 BFU725F,115 BFU725F/N1,115 BFU730F,115 BFU730LXZ BFU760F,115 BFU768F,115 BFU790F,115

BFU668F,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BFU668F,115 PDF下載

功能描述
TRANSISTOR NPN SOT343F
RoHS
是
類別
未定義的類別 >> 其它
系列
*
標準包裝
1
系列
*
其它名稱
MS305720A

BFU668F,115 技術參數

BFU660F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:5.5V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz 增益:12dB ~ 21dB 功率 - 最大值:225mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:90 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:4-DFP 標準包裝:1 BFU630F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:5.5V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz 增益:13dB ~ 22.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:90 @ 5mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:4-DFP 標準包裝:1 BFU610F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:5.5V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz 增益:13.5dB ~ 23.5dB 功率 - 最大值:136mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:90 @ 1mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:4-DFP 標準包裝:1 BFU590QX 功能描述:TRANS RF NPN 12V 200MA SOT89-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:6.5dB 功率 - 最大值:2W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 80mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 BFU590GX 功能描述:TRANS RF NPN 12V 200MA SOT223-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:8dB 功率 - 最大值:2W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 80mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 BFU910FX BFV10-10L BFV10-10Q BFV10-6L BFV10-6Q BFV10-8L BFV10-8Q BFV14-10C BFV14-10L BFV14-10Q BFV14-6C BFV14-6L BFV14-6Q BFV14-8C BFV14-8L BFV14-8Q BFV18-10C BFV18-10L