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BFU725F-N1

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制造商
PHILIPS
制造商全稱
NXP Semiconductors
功能描述
NPN wideband silicon germanium RF transistor

BFU725F-N1 技術參數

BFU725F/N1,115 功能描述:TRANSISTOR NPN 40MA SOT343 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:2.8V 頻率 - 躍遷:55GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz 增益:10dB ~ 24dB 功率 - 最大值:136mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343 反向插針供應商器件封裝:4-SO 標準包裝:1 BFU725F,115 功能描述:RF Transistor NPN 2.8V 40mA 70GHz 136mW Surface Mount 4-DFP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:2.8V 頻率 - 躍遷:70GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz 增益:10dB ~ 24dB 功率 - 最大值:136mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:4-DFP 標準包裝:3,000 BFU710F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:2.8V 頻率 - 躍遷:43GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz 增益:- 功率 - 最大值:136mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:4-DFP 標準包裝:1 BFU690F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:5.5V 頻率 - 躍遷:18GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz 增益:15.5dB ~ 18.5dB 功率 - 最大值:230mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:90 @ 20mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:4-DFP 標準包裝:1 BFU668F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F 制造商:nxp usa inc. 系列:* 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:SOT-343F 標準包裝:1 BFV10-6Q BFV10-8L BFV10-8Q BFV14-10C BFV14-10L BFV14-10Q BFV14-6C BFV14-6L BFV14-6Q BFV14-8C BFV14-8L BFV14-8Q BFV18-10C BFV18-10L BFV18-10Q BFV18-6C BFV18-6L BFV18-6Q