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BLF6G10LS-200RN,11

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封裝
批號
價格
說明
操作

BLF6G10LS-200RN,11
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NXP/恩智浦
SMD
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

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BLF6G10LS-200RN,11 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BLF6G10LS-200RN,11 PDF下載

功能描述
射頻MOSFET電源晶體管 Trans MOSFET N-CH 65V 49A 2-Pin
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶體管極性
頻率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
輸出功率
100 W
汲極/源極擊穿電壓
漏極連續電流
閘/源擊穿電壓
最大工作溫度
封裝 / 箱體
NI-780-4
封裝
Tray

BLF6G10LS-200RN,11 技術參數

BLF6G10LS-200R,118 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 40W SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:LDMOS 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:28V 額定電流:49A 噪聲系數:- 電流 - 測試:1.4A 功率 - 輸出:40W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應商器件封裝:SOT502B 標準包裝:100 BLF6G10LS-200R,112 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 40W SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤零件狀態:過期晶體管類型:LDMOS 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:28V 額定電流:49A 噪聲系數:- 電流 - 測試:1.4A 功率 - 輸出:40W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應商器件封裝:SOT502B 標準包裝:20 BLF6G10LS-200,118 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 871.5MHz 20.2dB 40W SOT502B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:LDMOS 頻率:871.5MHz 增益:20.2dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:49A 噪聲系數:- 電流 - 測試:1.4A 功率 - 輸出:40W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應商器件封裝:SOT502B 標準包裝:100 BLF6G10LS-200,112 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 871.5MHz 20.2dB 40W SOT502B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:托盤零件狀態:過期晶體管類型:LDMOS 頻率:871.5MHz 增益:20.2dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:49A 噪聲系數:- 電流 - 測試:1.4A 功率 - 輸出:40W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應商器件封裝:SOT502B 標準包裝:60 BLF6G10LS-160RN:11 功能描述:RF Mosfet LDMOS 32V 1.2A 922.5MHz ~ 957.5MHz 22.5dB 32W SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤零件狀態:過期晶體管類型:LDMOS 頻率:922.5MHz ~ 957.5MHz 增益:22.5dB 電壓 - 測試:32V 額定電流:39A 噪聲系數:- 電流 - 測試:1.2A 功率 - 輸出:32W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應商器件封裝:SOT502B 標準包裝:100 BLF6G15L-40BRN,112 BLF6G15L-40BRN,118 BLF6G15L-40RN,112 BLF6G15L-40RN,118 BLF6G15L-500H,112 BLF6G15LS-250PBRN, BLF6G15LS-250PBRN: BLF6G15LS-40RN,112 BLF6G15LS-40RN,118 BLF6G15LS-500H,112 BLF6G20-110,112 BLF6G20-180PN,112 BLF6G20-180RN,112 BLF6G20-230P BLF6G20-230PRN,112 BLF6G20-230PRN,118 BLF6G20-40,112 BLF6G20-45,112