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BS-PCSS2/4

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制造商
IDEAL-TEK
功能描述
CENTRE BAR KIT
制造商
IDEAL-TEK
功能描述
CENTRE BAR KIT; External Height

BS-PCSS2/4 技術參數

BSPCM 功能描述:SNAP 9V MALE PC MOUNT 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件狀態:有效電池類型，功能:9V，卡入式觸點（單）樣式:觸點，卡入式（負極）電池尺寸:9V 電池數:- 電池系列:- 安裝類型:PCB，通孔端子類型:PC 引腳板上高度:0.380"（9.64mm）工作溫度:- 標準包裝:100 BSPCF 功能描述:SNAP 9V FEMALE PC MOUNT 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件狀態:有效電池類型，功能:9V，卡入式觸點（單）樣式:觸點，卡入式（正極）電池尺寸:9V 電池數:- 電池系列:- 安裝類型:PCB，通孔端子類型:PC 引腳板上高度:0.380"（9.64mm）工作溫度:- 標準包裝:100 BSP92PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 260mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP92PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 260MA 4SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 260mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP92P E6327 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 260mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSPD5DING BSPD5DINLHF BSPG1230WE BSPG1230WER BSPG1255NPE BSPG1255NPER BSPH2230WE BSPH2230WER BSPH2275TT BSPH2275TTR BSPH2600PV BSPH2600PVR BSPH2A150D150LV BSPH2A150D150LVR BSPH2A230D230LV BSPH2A230D230LVR BSPH2A24D24LV BSPH2A24D24LVR