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BS170P

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BS170P
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
DIODES/美臺
NA
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

BS170P
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Diodes
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BS170P
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
INFINEON/英飛凌
TO-92
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

BS170P
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
NULL
NULL
09/10+
-
假一罰十，百分百原裝正品

BS170P
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

BS170P
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
4000
DIODES INC.
主營優勢
1136
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

BS170P
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
3777
ZETEX
TO92
2236+
-
▊▊真實現貨▊可出售樣品及配套服務

BS170P
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區深南中路華強電子世界三店佳和4C148
36000000
達爾
22+
-
原裝正品

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功能描述
MOSFET N-Chnl 60V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BS170P 技術參數

BS170G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 BS170FTC 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.15A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:150mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:10,000 BS170FTA 功能描述:MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:150mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BS170-D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）基本零件編號:BS170 標準包裝:1 BS170-D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）基本零件編號:BS170 標準包裝:1 BS-175.000MBB-T BS-175.000MBC-T BS-175.000MCB-T BS-175.000MCC-T BS-187.500MBB-T BS-187.500MBC-T BS-187.500MCB-T BS-187.500MCC-T BS18-C BS18-L BS18-M BS1-IC BS-1S-1 BS1SSL16999XW BS-1T BS-1T CHITAN BS-1T HAS B BS-1T HAS C