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BS170RLRPG

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

BS170RLRPG
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
NULL
NULL
09/10+
-
假一罰十，百分百原裝正品

BS170RLRPG
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：高先生/周小姐/曹先生
電話：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
81459
onsemi
TO-226-3, TO-92-3 Lo
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

BS170RLRPG
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
ON
TO-92
15+
-
原裝正品，假一罰十

1/1頁 40條/頁共10條
1

您是不是要找： BS170ZL1G BS-175.000MBB-T BS-175.000MBC-T BS-175.000MCB-T BS-175.000MCC-T BS-187.500MBB-T BS-187.500MBC-T BS-187.500MCB-T BS-187.500MCC-T

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BS170RLRPG PDF下載

功能描述
MOSFET 60V 500mA N-Channel
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BS170RLRPG 技術(shù)參數(shù)

BS170RLRP 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BS170RLRMG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS170RLRAG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS170RLRA 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BS170RL1G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:60pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS18-C BS18-L BS18-M BS1-IC BS-1S-1 BS1SSL16999XW BS-1T BS-1T CHITAN BS-1T HAS B BS-1T HAS C BS-1T SUS316 BS1USB BS-200.000MBB-T BS-200.000MBC-T BS-200.000MCB-T BS-200.000MCC-T BS201246EU BS201846EU