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BSC014NE2LI

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BSC014NE2LI
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：張育豪 13360528695
電話：0755-23607487
地址：深圳市福田區華富路1006號航都大廈11樓一層
資質：營業執照
28888
INFINEON/英飛凌
QFN
22+
-
原廠原裝現貨

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BSC014NE2LI 技術參數

BSC014N06NSTATMA1 功能描述:DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:5,000 BSC014N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Ta），100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 120μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:89nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6500pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），156W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.45 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC014N06NS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.45 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 120μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:89nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6500pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC014N04LSTATMA1 功能描述:DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:5,000 BSC014N04LSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.45 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4000pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 FL（5x6）標準包裝:1 BSC016N06NSTATMA1 BSC017N04NS G BSC017N04NSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LSI BSC018NE2LSIATMA1 BSC019N02KSGAUMA1 BSC019N04LSATMA1 BSC019N04NSGATMA1 BSC020N025S G BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03MSGATMA1 BSC022N03S BSC022N03SG BSC022N04LSATMA1 BSC024N025S G BSC024NE2LS