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BSF1306DSCC330MT

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  • BSF1306DSCC330MT
    BSF1306DSCC330MT

    BSF1306DSCC330MT

  • 汕頭市潮南區海特旺電子貿易有限公司
    汕頭市潮南區海特旺電子貿易有限公司

    聯系人:陳先生

    電話:0754-84492320

    地址:廣東省汕頭市潮南區陳店鎮溪口九斗花園旁

  • 782500

  • KING Core

  • SMD

  • 2020+

  • -
  • 全新原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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BSF1306DSCC330MT 技術參數
  • BSF083N03LQ G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13A(Ta),53A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.3 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1800pF @ 15V 功率 - 最大值:36W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標準包裝:5,000 BSF077N06NT3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13A(Ta),56A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.7 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 33μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3700pF @ 30V 功率 - 最大值:38W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標準包裝:1 BSF053N03LT G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):16A(Ta),71A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.3 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2700pF @ 15V 功率 - 最大值:42W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標準包裝:5,000 BSF050N03LQ3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):15A(Ta),60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3000pF @ 15V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標準包裝:1 BSF045N03MQ3 G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Ta),63A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2600pF @ 15V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標準包裝:5,000 BSH-020-01-F-D-A BSH-020-01-F-D-A-TR BSH-020-01-F-D-DP-A BSH-020-01-F-D-LC-TR BSH-020-01-H-D-A BSH-020-01-H-D-A-TR BSH-020-01-H-D-LC-TR BSH-020-01-L-D-A BSH-020-01-L-D-A-TR BSH-020-01-L-D-DP-A BSH-020-01-L-D-DP-A-TR BSH-020-01-L-D-EM2 BSH-030-01-C-D BSH-030-01-C-D-A BSH-030-01-C-D-A-K-TR BSH-030-01-C-D-A-TR BSH-030-01-F-D BSH-030-01-F-D-A
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